제품설명

광산업 의 가장 잘 보존 된 비밀: 광석 분쇄 를 위한 텅스텐 탄화물

텅스텐 탄화물 에 대한 이해

HPGR 에서 텅스텐 탄화물 의 역할

광물 가공에서 HPGR의 이점

1. 에너지 효율성: HPGR는 전통적인 밀링 방식에 비해 에너지 소비를 크게 줄일 수 있으며, 이는 운영 비용을 낮추게합니다.
2. 개선 된 입자 크기 분포: 그들은 더 균일한 입자 크기를 생성하여 플로테이션과 침수와 같은 하류 공정의 효율성을 향상시킵니다.
3. 벌금 생산 증가: HPGRs는 더 많은 미세한 비율을 생성 할 수 있으며, 무더기 침수와 같은 응용 분야에서 유용합니다.

텅스텐 탄화물 채굴 팁

텅스텐 탄화물 광산 팁의 특성

• 단단함: HRA 88-92의 경화 범위로, 텅스텐 탄화물 광산 팁은 광산의 엄격함을 쉽게 처리 할 수 있습니다.
• 경직 저항성: 그들은 전통적인 재료를 능가하여 빈번한 굴착 작업에서 예외적으로 잘 수행합니다.
• 충격 저항: 고충격 조건 하에서 구조적 무결성을 유지하여 사용 수명을 연장합니다.

텅스텐 광업 및 정제

정제 과정

1. 분쇄 및 밀링: 광석 을 분쇄 하고 얇은 가루 로 만들어 낸다.
2. 혜택: 화학 반응 을 통해 텅스텐 을 폐암 에서 분리 하는 것 이다.
3. 정화: 생성 된 화합물은 암모늄 파라툰그라이트 (APT) 를 생성하기 위해 정제되며, 그 다음에는 금속 텅스텐을 생성하기 위해 감소됩니다.

광산 에서 텅스텐 탄화물 의 미래

텅스텐 탄화물 의 혁신

• 센서 통합: 마모의 실시간 모니터링은 HPGR 기술의 효율성을 향상시킬 수 있습니다.
• 대체 재료: 마이너 장비의 수명을 더욱 연장할 수 있는 새로운 마이너 보호 물질을 탐구한다.

1기계적 및 물리적 특성

주요 내용:

• 알루미나보다 2배 더 단단합니다.,강철보다 3배 더 단단하다가습기 환경에서의 마모가 최소입니다.

• 가장 높은 밀도효율적인 밀링을 위해 우수한 운동 에너지를 제공합니다.

• 압축 강도 이상● 큰 부하에 견딜 수 있습니다.

2. 착용 및 내구성 성능

실제 사례:

• 시멘트 공 공장, WC 미디어는 지속2년 이상금속과 철강1~2개월.

3화학 및 열 저항성

가장 좋은 방법:

• 소금, 소금, 소금가려진 매료물(예를 들어, 광산 광석)

• 유기 용매(화학적 반응이 없습니다.)

4밀링 효율 측정

• 입자 크기의 감소:업적나노 규모의 정밀성(D90 < 100nm) 고에너지 공장.

• 매출량:알루미나/지르코니아보다 30~50% 더 빠르다.

• 오염 위험:0에 가깝습니다 (배터리 재료, 전자 장치에 있어 매우 중요합니다.)

최적의 응용 방법:

• 광산:광석 분말 (금, 구리)

• 세라믹:나노 파우더 생산

• 페인트/인크:색을 많이 닦는 것

5산업별 장점

성능 요약: 왜 텅스텐 탄화물을 선택합니까?

✅비교 할 수 없는 경직성가장 낮은 마모율입니다.
✅높은 밀도더 빨리 깎고 더 적은 에너지를 사용합니다.
✅화학적 안정성대부분의 용매 / 슬루어에 저항합니다.
✅가장 긴 수명ROI는 6~12개월에 정당화됩니다.

YG8 닦는 WC 공

전시회 & 파트너

케이스

폴란드 로 가는 배

프랑스로 가는 배

FAQ

1. 텅프렌 탄화물 밀링 미디어는 무엇입니까?

텅프렌 카비드 밀링 매체는코발트 (Co) 또는 니켈 (Ni) 에 결합된 WC (통프겐 탄화물) 입자그것은가장 튼튼하고 마모를 견디는사용 가능한 밀링 재료, 가려움과 높은 충격 밀링에 이상적입니다.

2강철, 알루미나 또는 지르코니아 매체에 대한 장점은 무엇입니까?

• 강도 (HRA 90+):강철보다 3배 더 강하고 알루미나보다 2배 더 강합니다.

• 밀도 (14~15g/cm3):더 빠른 쇄기를 위해 더 높은 운동 에너지.

• 마모 저항:지속20×50× 더 길다철강보다 가습기 매립물에서

• 오염 없는:철/니켈 침수 (배터리, 전자제품에 있어 매우 중요합니다.)

3어떤 품질/결합 물질이 사용 가능합니까?

• 코발트 결합 (WC-Co):6%, 8%, 10% Co (강도 기준)

• 니켈 결합 (WC-Ni):더 나은 부식 저항성 (pH 1 ∼ 14)

• 초미세 곡물:나노 밀링을 위한 미크론 이하 WC.